核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
1946伟德集团立足于宽禁带半导体行业关键材料、制造设备及配件的销售和研发。通过技术引进和自主研发相结合,依托高校和科研单位的产研结合,联合行业龙头企业,打通产业化的关键节点,推动整个行业的稳步发展。1946伟德致力于推动和实现氧化镓材料及器件的全面实用化和产业化。为了实现这一目标,集团公司牵头发起成立“亚洲氧化镓联盟”,依托联盟平台的资源和优势,促进氧化镓业内同仁的技术交流和产业合作。通过不断吸收产业链各环节的参与者,推动氧化镓行业健康、快速的发展。
1946伟德集团秉承“引领尖端技术、服务行业客户”的理念,始终坚持为宽禁带半导体行业客户提供国际上尖端的材料、设备和技术工艺。作为国内最早布局和销售第四代半导体(氧化镓)相关材料和设备的企业,通过整合行业技术及资源,针对不同客户需求,提供“材料+设备+工艺”的整体解决方案。
1946伟德致力于成为宽禁带半导体行业设备及材料专业供应商 !
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
资源整合
深耕化合物集宽禁带半导体行业,提供全产业链的材料和设备解决方案。
一站式服务
提供详细的售前技术咨询服务,可安排免费的样品测试。多样化的交易方式,满足不同客户采购要求。提供设备的安装、保养、维修、升级等一站式服务。
专业团队
公司研发人员长期从业于半导体行业,有丰富的设备使用、安装、调试经验,从专业角度为您提供专业服务。
成本优势
从技术方案到生产线运营管理,公司有完整的科学的成本管控方案,从多角度为客户打造最优方案。
2025-11-27 14:32:05
NCT特别推出一款小尺寸的氧化镓厚膜外延片,该产品承袭大尺寸外延成熟工艺,采用 HVPE 技术生长,具备高纯度、高均匀性优势,厚度达 10 微米、尺寸为 10mm×12mm。
2025-11-27 14:21:11
集成方法结合了剥离转移和晶圆级键合,避免了许多传统方法中所需的离子注入和界面氧化层,同时实现了阵列薄膜几何尺寸的均匀性,并可将总面积扩展至晶圆级。
2025-11-27 14:22:48
本文展示了一种高性能的基于 Ga2O3 的 MISM 光控二极管(MISM PCD),其集成了超薄 HfO2 绝缘层,实现了超低暗电流(5 V 下约 20 fA)和优异的光响应度(2188 A/W)。
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