核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
伟德国际始于英国1946成立于2019年5月17日,公司秉承“引进尖端技术、服务本土客户”的理念,主要代理销售日本及欧美等国第三代半导体领域(碳化硅、氮化镓等)的先进材料和尖端设备,致力于服务国内各大高校、研究单位和半导体行业客户。公司创始人核心团队成员均具有15年以上相关从业经历,特别是在宽禁带半导体行业具有丰富的经验和资源。
自公司成立以来团队开始积极布局和销售第四代半导体领域(氧化镓)的相关材料和设备,不断整合行业技术资源并融合本公司的专业技术和售后团队,竭诚为每一位客户提供优质的全产业化方案以及专业的技术支持和优质的售后服务。
1946伟德致力于成为宽禁带半导体行业设备及材料专业供应商 !
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
资源整合
深耕化合物集宽禁带半导体行业,提供全产业链的材料和设备解决方案。
一站式服务
提供详细的售前技术咨询服务,可安排免费的样品测试。多样化的交易方式,满足不同客户采购要求。提供设备的安装、保养、维修、升级等一站式服务。
专业团队
公司研发人员长期从业于半导体行业,有丰富的设备使用、安装、调试经验,从专业角度为您提供专业服务。
成本优势
从技术方案到生产线运营管理,公司有完整的科学的成本管控方案,从多角度为客户打造最优方案。
课题聚焦于高耐压应用的 β-Ga2O3 高纯度厚膜外延衬底制备技术及器件外围结构设计,力求实现耐压 15 kV 的 β-Ga2O3 晶体管的工作验证。
本研究证实 β-(RhxGa1−x)2O3 合金实现 p 型掺杂具有可行性,基于该材料构建的 p-n 同质结有望显著拓展合金氧化物的应用领域。
揭示了氟等离子体处理降低肖特基势垒的物理机制,提出并验证了电热退火(ETA)作为一种局部选择性退火技术,可高效修复界面缺陷并调控肖特基势垒高度。
厦门大学龙浩副教授课题组在 Ga2O3 光电器件的界面调控方面取得系列进展,为进一步理解 Ga2O3 界面机制提供思路。